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AON7442是AOS公司推出的一款采用8-DFN-EP封装的N沟道功率MOSFET，属于其高性能AlphaMOS产品系列。该器件在30V的漏源电压（V_DSS）下，能够支持高达50A的连续漏极电流，其核心优势在于极低的导通电阻，典型值低至1.9毫欧（@10V，20A），这显著降低了功率传导损耗。

此外，器件具备优化的开关特性，其最大栅极电荷（Q_g）仅为65nC，有助于实现高效率和高频开关操作。宽泛的驱动电压范围（4.5V-10V）和±20V的栅源电压耐受能力，确保了设计的灵活性与鲁棒性。其表面贴装型封装和-55°C至150°C的宽工作结温范围，使其适用于空间紧凑、环境要求苛刻的高性能电源转换与电机驱动应用。

• 型号:AON7442
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN-EP（3.3x3.3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 30V 50A 8DFN
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.9 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:65 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2994 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:83W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN-EP（3.3x3.3）
• 封装/外壳:8-PowerWDFN
• AON7442，AOS产品一站式供应商。