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零件图片（仅供参考）
AO3418L
规格参数

AO3418L是AOS推出的一款N沟道MOSFET，采用SOT-23-3封装，专为空间和效率要求苛刻的应用而设计。其核心电气参数包括30V的漏源电压(Vdss)和3.8A的连续漏极电流(Id)处理能力。

该器件的关键优势在于其低导通特性，在10V Vgs下导通电阻(Rds(on))最大值仅为60毫欧，配合极低的栅极电荷(最大值3.6nC)，实现了低导通损耗与高开关速度的优异平衡。其1.8V的最大阈值电压确保了与低压逻辑电路的直接兼容性，简化了驱动电路设计。

  • 制造商产品型号：AO3418L
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：3.8A（Ta）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：60 毫欧 @ 3.8A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.8V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：3.6nC @ 4.5V
  • Vgs（最大值）：±12V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：270pF @ 15V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：1.4W（Ta）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：SOT-23-3
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AO3418L
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AO3418L的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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