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AO6608 零件图片(仅供参考)

AO6608
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AO6608 规格参数

AO6608是AOS推出的一款N沟道与P沟道互补型MOSFET阵列,采用6引脚TSOP封装。该器件集成了一个30V/3.4A的N-MOSFET和一个20V/3.3A的P-MOSFET,两者均具备极低的导通电阻(典型值分别为60毫欧和75毫欧),能有效降低导通损耗,提升系统能效。

其设计兼顾了静态与动态性能,具有较低的栅极电荷和输入电容,支持快速开关操作,适用于高频应用。宽泛的工作结温范围(-55°C至150°C)和1.25W的功耗能力,确保了其在各种环境下的可靠性。这款表面贴装器件是空间受限应用中实现高效功率切换与驱动的紧凑型解决方案。

  • 型号:AO6608
  • 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
  • 封装:6-TSOP
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET N/P-CH 30V/20V 3.4A 6TSOP
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 配置:N 和 P 沟道互补型
  • FET 功能:-
  • 漏源电压(Vdss):30V,20V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.4A(Ta),3.3A(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):60 毫欧 @ 3.4A,10V,75 毫欧 @ 3.3A,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250A,1V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):3nC @ 4.5V,10nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):235pF @ 15V,510pF @ 10V
  • 功率 - 最大值:1.25W(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:SC-74,SOT-457
  • 供应商器件封装:6-TSOP
  • AO6608,AOS产品一站式供应商。
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AO6608 基本参数:

  • 电子零件型号:AO6608
  • 原始制造厂商:AOS(Alpha and Omega Semiconductor,万代半导体)
  • 技术标准参数:MOSFET N/P-CH 30V/20V 3.4A 6TSOP
  • 产品应用分类:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 点击此处查询AO6608的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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