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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOI1N60L是一款N沟道高压功率MOSFET，采用TO-251A通孔封装，由AOS制造。其核心电气规格包括600V的漏源击穿电压（Vdss）和1.3A的连续漏极电流（Id），为中小功率高压开关应用提供了坚实的基础。
该器件的突出优势在于其良好的开关性能与导通特性。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(On)）表现优异，有助于降低导通损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg max: 8nC）和输入电容（Ciss max: 160pF）确保了快速的开关速度，从而减少开关损耗，提升系统效率，尤其适用于工作频率较高的开关电源拓扑。
基本参数：
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