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AOI1N60L是一款N沟道高压功率MOSFET，采用TO-251A通孔封装，由AOS制造。其核心电气规格包括600V的漏源击穿电压（Vdss）和1.3A的连续漏极电流（Id），为中小功率高压开关应用提供了坚实的基础。

该器件的突出优势在于其良好的开关性能与导通特性。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(On)）表现优异，有助于降低导通损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg max: 8nC）和输入电容（Ciss max: 160pF）确保了快速的开关速度，从而减少开关损耗，提升系统效率，尤其适用于工作频率较高的开关电源拓扑。

• 型号:AOI1N60L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-251A
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 1.3A TO251A
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9 欧姆 @ 650mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:160 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251A
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK
• AOI1N60L，AOS产品一站式供应商。