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AON6932A是AOS推出的一款双N沟道功率MOSFET阵列，采用8-PowerVDFN封装，专为高密度、高效率的功率管理解决方案而设计。该器件集成了两个逻辑电平门控的MOSFET，构成一个紧凑的半桥，其核心优势在于极低的导通电阻（典型值5毫欧@10V）和出色的开关性能（最大栅极电荷22nC），这直接降低了系统的传导与开关损耗。

其电气规格坚实可靠，具备30V的漏源电压和高达22A/36A的连续电流承载能力，工作结温范围覆盖-55°C至150°C。这些参数使其能够直接由低电压逻辑信号驱动，简化了电路设计，并确保在同步整流、电机驱动和各类负载开关应用中实现高效、稳定的功率控制与转换。

• 型号:AON6932A
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 22A/36A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 沟道（双）非对称型
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A，36A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1037pF @ 15V
• 功率 - 最大值:3.6W，4.3W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:8-DFN（5x6）
• AON6932A，AOS产品一站式供应商。