AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO9926C是AOS公司生产的一款双N沟道逻辑电平功率MOSFET阵列，采用8-SOIC表面贴装封装。其核心优势在于极低的导通电阻与栅极电荷的优化组合，在10V栅极驱动下，导通电阻（RDS(on)）最大值仅为23mΩ，同时连续漏极电流可达7.6A，确保了出色的功率处理能力和低传导损耗。
该器件具备1.1V的低栅极阈值电压，可直接兼容3.3V/5V逻辑电平，简化了驱动电路设计。其12.5nC的低栅极电荷支持高频开关操作，有助于提升开关电源等应用的效率。20V的漏源电压额定值与-55°C至150°C的宽工作结温范围，使其成为空间紧凑型设计中高可靠性负载开关、电机驱动和DC-DC转换等应用的理想选择。
基本参数：
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