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AON4807_101是AOS公司生产的一款双P沟道功率MOSFET阵列，集成于8-DFN表面贴装封装内。该器件每个通道具备30V的漏源电压（Vdss）和4A的连续漏极电流处理能力，其关键优势在于较低的导通电阻，在10V Vgs条件下典型值仅为68毫欧，有助于显著降低导通状态下的功率损耗。

该MOSFET的栅极驱动特性经过优化，最大栅极阈值电压为2.3V，便于与标准逻辑电平接口；同时，其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）分别被控制在10nC和290pF（最大值）以内，这确保了快速的开关瞬态响应，有利于提升开关电源等应用的效率。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）也增强了其在各种环境条件下的适用性。

• 制造商产品型号：AON4807_101
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET P-CH DUAL DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：2 个 P 沟道（双）
• FET功能：标准
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：4A
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：68 毫欧 @ 4A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：10nC @ 10V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：290pF @ 15V
• 功率-最大值：1.9W
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 封装：8-SMD，扁平引线
• AON4807_101，AOS产品一站式供应商。