我们为全球各个行业提供AOS AOD7N60现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

AOD7N60是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-252（D-Pak）表面贴装封装。其核心电气参数包括600V的漏源电压（Vdss）和7A的连续漏极电流（Id），为功率开关应用提供了坚实的电压与电流处理基础。

该器件在10V栅极驱动下具有较低的导通电阻，有助于减少传导损耗。同时，其优化的栅极电荷和宽泛的工作温度范围（-50°C ~ 150°C TJ），使其在追求高效率与高可靠性的开关电源及电机控制等设计中成为一个值得考虑的选择。

• 型号:AOD7N60
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 7A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.3 欧姆 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1170 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:178W（Tc）
• 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• AOD7N60，AOS产品一站式供应商。