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AOTF11S60是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其aMOS系列，采用TO-220F通孔封装。该器件核心规格为600V漏源电压（Vdss）与11A连续漏极电流（Id），为中等功率应用提供了坚实的电压与电流处理基础。

其关键优势在于优异的导通与开关性能。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值低至399毫欧，能有效降低传导损耗。同时，极低的栅极电荷（11nC @ 10V）和输入电容特性，确保了快速高效的开关动作，有助于提升系统整体效率并简化驱动设计。这些特性使其成为开关电源、电机驱动等高效能功率转换方案的理想选择。

• 制造商产品型号: AOTF11S60
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 功能总体简述: MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
• 系列: aMOS
• FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物
• FET 功能: 标准
• 漏源极电压（Vdss）: 600V
• 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 11A（Tc）
• 不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 399 毫欧 @ 3.8A，10V
• 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 11nC @ 10V
• 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 545pF @ 100V
• 功率 - 最大值: 38W
• 安装类型: 通孔
• 封装/外壳: TO-220-3 整包
• 供应商器件封装: TO-220F
• AOTF11S60，AOS产品一站式供应商。