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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOI442是一款N沟道功率MOSFET，采用TO-251A通孔封装，核心优势在于其低导通电阻与高效率的开关特性。其漏源电压（Vdss）为60V，在10V Vgs、20A Id条件下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为20毫欧，能显著降低导通损耗。同时，其总栅极电荷（Qg）最大值仅为68nC，有利于实现快速开关并减少驱动损耗。
该器件提供强大的电流处理能力，在管壳温度（Tc）下连续漏极电流可达37A，功率耗散能力为60W（Tc），工作结温范围覆盖-55°C至175°C，确保了在高负载和宽温度范围内的稳定运行。这些特性使其成为DC-DC转换、电机驱动和电源开关等应用的可靠解决方案。
制造商产品型号：AOI442制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）描述：MOSFET N-CH 60V 7A/37A TO251A系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：60V25°C时电流-连续漏极(Id)：7A（Ta），37A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：20 毫欧 @ 20A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.7V @ 250A不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：68nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2300pF @ 30VFET功能：-功率耗散（最大值）：2.1W（Ta），60W（Tc）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：通孔器件封装：TO-251AAOI442，AOS产品一站式供应商。
基本参数：
电子零件型号：AOI442
原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
技术标准参数：MOSFET N-CH 60V 7A/37A TO251A
产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
点击此处查询AOI442的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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