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AOI442是一款N沟道功率MOSFET，采用TO-251A通孔封装，核心优势在于其低导通电阻与高效率的开关特性。其漏源电压（Vdss）为60V，在10V Vgs、20A Id条件下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为20毫欧，能显著降低导通损耗。同时，其总栅极电荷（Qg）最大值仅为68nC，有利于实现快速开关并减少驱动损耗。

该器件提供强大的电流处理能力，在管壳温度（Tc）下连续漏极电流可达37A，功率耗散能力为60W（Tc），工作结温范围覆盖-55°C至175°C，确保了在高负载和宽温度范围内的稳定运行。这些特性使其成为DC-DC转换、电机驱动和电源开关等应用的可靠解决方案。

• 型号:AOI442
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-251A
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 7A/37A TO251A
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Ta），37A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.7V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:68 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2300 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251A
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK
• AOI442，AOS产品一站式供应商。