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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOWF11S65是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-262F通孔封装。其核心规格为650V漏源电压（Vdss）和11A连续漏极电流（Id），属于aMOS产品系列，专为要求高耐压与高效率的功率电子应用设计。
该器件的技术亮点在于其优异的动态与静态性能平衡。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(On)）典型值较低，同时栅极电荷（Qg）也得到有效控制，这有助于同时降低导通损耗和开关损耗。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在恶劣环境下的可靠运行。
基本参数：
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