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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON6884L是AOS公司生产的一款双N沟道功率MOSFET阵列，采用8-PowerSMD封装。该器件集成了两个独立的N沟道MOSFET，具备40V的漏源电压（Vdss）额定值和高达34A（Tc）的连续漏极电流处理能力，适用于中高功率应用。
其核心电气优势在于极低的导通电阻，在10A、10V条件下典型值仅为11.3毫欧，能显著降低传导损耗。同时，16nC（@4.5V）的低栅极电荷和1950pF的输入电容有助于实现高效率的高频开关操作。器件工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在各种环境下的稳定性和可靠性。
基本参数：
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