AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOI516_001 是 AOS 推出的一款 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-251B 封装。其核心优势在于极低的导通电阻，在 10V Vgs 下典型值仅为 5 毫欧，配合高达 46A (Tc) 的连续漏极电流能力，能够显著降低系统导通损耗，提升功率处理效率。
该器件具备 30V 的漏源电压额定值，栅极驱动兼容标准逻辑电平，阈值电压最大 2.2V。其优化的动态参数，如低至 33nC 的栅极电荷，确保了快速的开关性能，适用于高频开关应用。宽泛的工作结温范围（-55°C 至 175°C）为其在各类环境下的稳定运行提供了保障。
基本参数：
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