我们为全球各个行业提供AOS AOI516_001现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

AOI516_001 是 AOS 推出的一款 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-251B 封装。其核心优势在于极低的导通电阻，在 10V Vgs 下典型值仅为 5 毫欧，配合高达 46A (Tc) 的连续漏极电流能力，能够显著降低系统导通损耗，提升功率处理效率。

该器件具备 30V 的漏源电压额定值，栅极驱动兼容标准逻辑电平，阈值电压最大 2.2V。其优化的动态参数，如低至 33nC 的栅极电荷，确保了快速的开关性能，适用于高频开关应用。宽泛的工作结温范围（-55°C 至 175°C）为其在各类环境下的稳定运行提供了保障。

• 制造商产品型号：AOI516_001
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 18A/46A TO251B
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：18A（Ta），46A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：33nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1229pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-251B
• AOI516_001，AOS产品一站式供应商。