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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOT20N25L是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装，专为中高压、中电流开关应用而优化。其核心电气参数包括250V的漏源电压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID），为设计提供了坚实的功率处理基础。
该器件的关键优势在于其优异的动态与静态性能平衡。其导通电阻（RDS(on)）在10V驱动下典型值极低，有效降低了导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg）有助于实现快速开关并降低驱动损耗，提升系统整体效率。其宽广的工作结温范围（-55°C至150°C）和高达208W的功率耗散能力，确保了在 demanding 应用环境下的长期可靠性。
基本参数：
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