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AO3420是AOS推出的一款采用SOT-23-3L封装的N沟道功率MOSFET。该器件设计用于低压、大电流的开关应用，其核心优势在于极低的导通电阻（典型值24mΩ @ 10V Vgs）与高达6A的连续漏极电流能力，这使其在导通状态下的功率损耗显著降低，从而提升整体系统效率。

器件具备优异的栅极驱动特性，阈值电压低至1V（最大值），且标准驱动电压兼容3.3V/5V逻辑电平，可直接由微控制器驱动，简化了外围电路设计。同时，其低栅极电荷（8.8nC @ 4.5V）和输入电容确保了快速的开关速度，适用于高频开关电源和PWM控制场景。宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C TJ）则保证了其在各种环境条件下的稳定性和可靠性。

• 型号:AO3420
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3L
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:24 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.8 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:630 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.4W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:3-SMD，SOT-23-3 变式
• AO3420，AOS产品一站式供应商。