AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOI1R4A70是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-251A通孔封装。该器件核心优势在于其700V的高漏源电压额定值与1.4欧姆的低导通电阻的出色结合，这使其在高压应用中能有效降低传导损耗，提升系统效率。
此外，其极低的栅极电荷（8nC @ 10V）确保了快速的开关性能，有助于减少开关损耗并允许更高的工作频率。器件额定连续漏极电流为3.8A，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，为各种功率开关和电机控制应用提供了高可靠性与鲁棒性的解决方案。
基本参数：
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