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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOWF12T60P是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-262F通孔封装。其核心电气规格包括600V的漏源电压（Vdss）和12A的连续漏极电流（Id），为高压功率切换应用提供了基础保障。
该器件的性能亮点在于其平衡的动态特性。在10V Vgs下，其导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）均得到优化，有助于降低导通与开关损耗，提升效率。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，并采用坚固的封装，确保了在严苛环境下的可靠性与散热能力，适用于开关电源、电机驱动等领域的功率级设计。
基本参数：
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