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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOD458是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-252（D-Pak）表面贴装封装。其核心优势在于250V的漏源电压（Vdss）额定值和14A（Tc）的连续漏极电流处理能力，为中等功率应用提供了坚实的基础。
该器件通过优化的技术设计，实现了低至280毫欧 @ 7A，10V的导通电阻，有效降低了导通损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为15nC @ 10V，有助于实现快速开关并降低驱动损耗，提升系统整体效率。其工作结温范围宽达-50°C至175°C，确保了在恶劣环境下的稳定性和可靠性。
基本参数：
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