AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOD3N50_003是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-252（D-Pak）表面贴装封装。其核心电气参数包括500V的漏源电压（Vdss）和2.8A（Tc）的连续漏极电流（Id），为高压中小电流应用提供了坚实的基础。
该器件的关键优势在于其优化的动态特性，其最大栅极电荷（Qg）仅为8nC，导通电阻（Rds(on)）在10V Vgs下典型值为3欧姆。这些特性共同作用，实现了较低的开关损耗和导通损耗，有助于提升开关电源的整体效率。其宽泛的工作结温范围（-50°C ~ 150°C）和57W（Tc）的功率耗散能力，进一步确保了其在严苛环境下的稳定性和可靠性。
基本参数：
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