AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON7403L_001是AOS推出的一款P沟道功率MOSFET，采用8-DFN（3x3）封装，专为高效电源管理设计。其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs下典型值仅为18毫欧（@8A），能显著降低传导损耗，同时其栅极电荷（Qg）低至24nC（@15V），有利于实现高速开关并减少驱动损耗。
该器件额定漏源电压（Vdss）为30V，在环境温度下可持续通过11A电流，管壳温度下更可支持高达29A，具备强大的电流处理能力。其3V的栅极阈值电压与标准逻辑电平兼容，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在宽温环境和多种应用中的稳定性和可靠性，适用于负载开关、DC-DC转换及电机驱动等场景。
基本参数：
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