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AONS21321是AOS推出的一款P沟道功率MOSFET，采用8-DFN-EP封装，专为要求高效率和高功率密度的应用而设计。其核心优势在于极低的导通电阻（16.5mΩ @ 10V, 20A）和低栅极电荷（34nC @ 10V），这共同确保了较低的传导损耗和开关损耗，从而提升系统整体能效。

该器件额定电压为30V，在管壳温度（Tc）条件下可支持高达24A的连续漏极电流，并具备24.5W的最大功率耗散能力，结合增强型散热封装，提供了出色的热管理性能。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C TJ）和±25V的栅源电压耐受能力，进一步保证了在严苛环境下的可靠性与鲁棒性。

• 型号:AONS21321
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 14A/24A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Ta），24A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1180 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:5W（Ta），24.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线
• AONS21321，AOS产品一站式供应商。