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AO4407L是AOS推出的一款P沟道功率MOSFET，采用8-SO表面贴装封装。其核心电气特性包括30V的漏源电压（Vdss）和高达12A的连续漏极电流（Id），能够满足中功率开关应用的需求。

该器件的关键优势在于其优异的导通性能，在10V Vgs条件下，导通电阻（Rds(On)）最大值仅为14毫欧，这有助于显著降低导通损耗，提升系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）较低，支持快速的开关速度，适用于高频开关电源和电机驱动等对动态性能要求较高的场合。

• 型号:AO4407L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 12A 8SO
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，20V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• AO4407L，AOS产品一站式供应商。