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零件图片(仅供参考)

规格参数
AO4407L是AOS推出的一款P沟道功率MOSFET,采用8-SO表面贴装封装。其核心电气特性包括30V的漏源电压(Vdss)和高达12A的连续漏极电流(Id),能够满足中功率开关应用的需求。
该器件的关键优势在于其优异的导通性能,在10V Vgs条件下,导通电阻(Rds(On))最大值仅为14毫欧,这有助于显著降低导通损耗,提升系统效率。同时,其栅极电荷(Qg)较低,支持快速的开关速度,适用于高频开关电源和电机驱动等对动态性能要求较高的场合。

基本参数:

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