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AOI516_002是一款N沟道功率MOSFET，采用TO-251B通孔封装，专为要求高效率和高电流处理能力的应用而设计。其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs下典型值仅为5毫欧（@20A），能显著降低功率损耗，同时具备高达46A（Tc）的连续漏极电流承载能力。

该器件具备快速的开关特性，最大栅极电荷（Qg）为33nC，且栅极阈值电压低，便于驱动并优化开关性能。其30V的漏源电压和宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）确保了在多种电源转换和电机控制应用中的稳定性和可靠性。

• 制造商产品型号：AOI516_002
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 18A/46A TO251B
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：18A（Ta），46A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：33nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1229pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-251B
• AOI516_002，AOS产品一站式供应商。