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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOI516_002是一款N沟道功率MOSFET，采用TO-251B通孔封装，专为要求高效率和高电流处理能力的应用而设计。其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs下典型值仅为5毫欧（@20A），能显著降低功率损耗，同时具备高达46A（Tc）的连续漏极电流承载能力。
该器件具备快速的开关特性，最大栅极电荷（Qg）为33nC，且栅极阈值电压低，便于驱动并优化开关性能。其30V的漏源电压和宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）确保了在多种电源转换和电机控制应用中的稳定性和可靠性。
基本参数：
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