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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO4402是一款N沟道功率MOSFET，采用8-SOIC表面贴装封装，由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）制造。其核心优势在于极低的导通电阻，在4.5V Vgs、20A条件下典型值仅为5.5毫欧，能显著降低导通损耗，提升系统效率。
该器件额定漏源电压（Vdss）为20V，连续漏极电流（Id）高达20A，并具备优化的栅极电荷（Qg）特性，支持快速开关操作。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）与较低的栅极驱动电压要求，使其成为空间受限、追求高可靠性的低压、大电流开关应用的理想选择，例如便携式设备的电源管理和电机控制。
基本参数：
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