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零件图片（仅供参考）
AOC2800
规格参数

AOC2800是AOS推出的一款采用4焊球WLCSP（晶圆级芯片尺寸封装）的双N沟道MOSFET阵列。该器件集成了两个逻辑电平门控的N沟道MOSFET，采用共漏极配置，其核心优势在于极致的微型化封装与高效的开关性能。

其最大栅极电荷（Qg）在4.5V Vgs下仅为9.1nC，确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗，适合高频开关应用。同时，器件支持-55°C至150°C的宽结温工作范围，最大功耗为1.3W，提供了良好的环境适应性。这款表面贴装型MOSFET阵列主要面向空间受限的便携式电子设备中的电源管理和信号切换电路。

  • 制造商产品型号：AOC2800
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET 2N-CH 4WLCSP
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：2 N 沟道（双）共漏
  • FET功能：逻辑电平门
  • 漏源电压（Vdss）：-
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：-
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：-
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：9.1nC @ 4.5V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
  • 功率-最大值：1.3W
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：4-UFBGA，WLCSP
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AOC2800
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET 2N-CH 4WLCSP
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 点击此处查询AOC2800的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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