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零件图片（仅供参考）
AOTF7N70
规格参数

AOTF7N70是AOS推出的一款N沟道高压功率MOSFET，采用TO-220-3F封装。其核心卖点在于高达700V的漏源电压额定值，为离线式电源应用提供了坚实的电压保障。同时，器件在10V栅极驱动下具备较低的导通电阻，有助于提升系统效率。

该器件在壳温25°C下额定连续漏极电流为7A，最大功耗38.5W，并支持-55°C至150°C的宽工作结温范围。其优化的栅极电荷和输入电容参数有利于实现快速的开关切换，降低开关损耗。这些特性使其成为开关电源、PFC电路及电机驱动等中功率应用场景中理想的主开关解决方案。

  • 制造商产品型号：AOTF7N70
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 700V 7A TO220-3F
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：700V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：7A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.8 欧姆 @ 3.5A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：25nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±30V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1175pF @ 25V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：38.5W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 器件封装：TO-220-3F
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AOTF7N70
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 700V 7A TO220-3F
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AOTF7N70的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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