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AON7290是一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN-EP封装，专为高效功率转换设计。其核心优势在于100V的漏源电压和极低的导通电阻（12.6mΩ @10V, 15A），这显著降低了传导损耗，提升了系统效率。

此外，该器件具备低栅极电荷（38nC）和良好的开关特性，支持高频操作，有助于减小外围元件尺寸。其宽工作温度范围（-55°C至150°C）和强大的电流处理能力（Tc下50A）确保了在严苛环境下的稳定性和可靠性。

• 型号:AON7290
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN-EP（3.3x3.3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 100V 15A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Ta），50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:12.6 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:38 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2075 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:6.25W（Ta），83W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN-EP（3.3x3.3）
• 封装/外壳:8-PowerWDFN
• AON7290，AOS产品一站式供应商。