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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOT460_001是一款由AOS制造的N沟道功率MOSFET，采用TO-220通孔封装。其核心规格包括60V漏源电压（Vdss）与高达85A（Tc）的连续漏极电流处理能力，专为高功率应用设计。
该器件的突出优势在于其极低的导通损耗，在10V Vgs、30A Id条件下，导通电阻最大值仅为7.5毫欧。同时，其88nC（@10V）的最大栅极电荷有助于实现高效的开关性能。宽工作结温范围（-55°C ~ 175°C）与268W（Tc）的功率耗散能力，确保了其在苛刻环境下的稳定运行。
基本参数：
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