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AOSS21319C是一款采用SOT-23-3封装的P沟道功率MOSFET，其核心电气参数定义了其在紧凑空间内的出色性能。器件具备30V的漏源电压(Vdss)和2.8A的连续漏极电流(Id)处理能力，关键特性在于其极低的导通电阻，在10V Vgs下典型值仅为100毫欧，能有效降低导通状态下的功率损耗。

同时，其栅极驱动特性经过优化，最大栅极阈值电压(Vgs(th))为2.2V，栅极电荷(Qg)最大值低至12nC。这使得它能被常见的3.3V或5V逻辑电平直接且高效地驱动，有利于实现快速的开关速度并简化外围电路设计。结合其-55°C至150°C的宽工作结温范围，该器件为空间和效率要求苛刻的应用提供了可靠的解决方案。

• 型号:AOSS21319C
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 2.8A SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:100 毫欧 @ 2.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:320 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:3-SMD，SOT-23-3 变式
• AOSS21319C，AOS产品一站式供应商。