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零件图片（仅供参考）
AOSS21319C
规格参数

AOSS21319C是一款采用SOT-23-3封装的P沟道功率MOSFET，其核心电气参数定义了其在紧凑空间内的出色性能。器件具备30V的漏源电压(Vdss)和2.8A的连续漏极电流(Id)处理能力，关键特性在于其极低的导通电阻，在10V Vgs下典型值仅为100毫欧，能有效降低导通状态下的功率损耗。

同时，其栅极驱动特性经过优化，最大栅极阈值电压(Vgs(th))为2.2V，栅极电荷(Qg)最大值低至12nC。这使得它能被常见的3.3V或5V逻辑电平直接且高效地驱动，有利于实现快速的开关速度并简化外围电路设计。结合其-55°C至150°C的宽工作结温范围，该器件为空间和效率要求苛刻的应用提供了可靠的解决方案。

  • 制造商产品型号：AOSS21319C
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET P-CH 30V 2.8A SOT23-3
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • FET类型：P 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：2.8A（Ta）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：100 毫欧 @ 2.8A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：12nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：320pF @ 15V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：1.3W（Ta）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：SOT-23-3
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AOSS21319C
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET P-CH 30V 2.8A SOT23-3
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AOSS21319C的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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