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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOD6N50是一款N沟道MOSFET，采用TO-252表面贴装封装，核心额定参数为500V漏源电压（Vdss）与5.3A连续漏极电流（Id）。
其技术亮点在于平衡了高耐压与良好的导通特性，在10V驱动电压下导通电阻（Rds(on)）最大值为1.4欧姆，同时栅极电荷（Qg）低至14nC，这有助于降低导通与开关损耗，提升整体能效。器件支持-50°C至150°C的宽结温工作范围，最大功率耗散为104W，适用于对热管理有要求的场合。
基本参数：
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