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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOT7S65L是AOS公司推出的一款N沟道高压功率MOSFET，采用TO-220通孔封装。其核心电气参数包括650V的漏源电压（Vdss）和7A的连续漏极电流（Id），为高压开关应用提供了坚实的基础。
该器件的关键优势在于其优化的动态与静态性能。其导通电阻（Rds(on)）低至650毫欧（@10V， 3.5A），配合仅9.2nC的低栅极电荷（Qg），实现了低传导损耗与快速开关特性的良好结合，有助于提升电源系统的整体效率。其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）确保了在苛刻环境下的稳定运行。
基本参数：
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