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AOI530是一款由AOS推出的N沟道功率MOSFET，采用TO-251A封装。其核心优势在于极低的导通电阻（2.7毫欧 @ 20A, 10V）与优化的栅极电荷（62nC @ 10V），这共同实现了高效的功率转换与快速的开关性能，有助于降低系统整体损耗。

该器件额定电压30V，在壳温条件下可支持高达70A的连续漏极电流，并具备83W（Tc）的功率耗散能力，确保了在高电流应用中的可靠性与热稳定性。其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）使其能够适应苛刻的环境要求。

综合来看，AOI530的设计侧重于在高频、高效率的功率开关应用中提供优异的电气性能与热性能，适用于DC-DC转换、电机驱动及负载开关等关键领域。

• 型号:AOI530
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-251A
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 23A/70A TO251A
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):23A（Ta），70A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.7 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:62 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3130 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），83W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251A
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK
• AOI530，AOS产品一站式供应商。