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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOI530是一款由AOS推出的N沟道功率MOSFET，采用TO-251A封装。其核心优势在于极低的导通电阻（2.7毫欧 @ 20A, 10V）与优化的栅极电荷（62nC @ 10V），这共同实现了高效的功率转换与快速的开关性能，有助于降低系统整体损耗。
该器件额定电压30V，在壳温条件下可支持高达70A的连续漏极电流，并具备83W（Tc）的功率耗散能力，确保了在高电流应用中的可靠性与热稳定性。其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）使其能够适应苛刻的环境要求。
综合来看，AOI530的设计侧重于在高频、高效率的功率开关应用中提供优异的电气性能与热性能，适用于DC-DC转换、电机驱动及负载开关等关键领域。
制造商产品型号：AOI530制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）描述：MOSFET N-CH 30V 23A/70A TO251A系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：AlphaMOS零件状态：停产FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：30V25°C时电流-连续漏极(Id)：23A（Ta），70A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.7 毫欧 @ 20A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250A不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：62nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3130pF @ 15VFET功能：-功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），83W（Tc）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：通孔器件封装：TO-251AAOI530，AOS产品一站式供应商。
基本参数：
电子零件型号：AOI530
原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
技术标准参数：MOSFET N-CH 30V 23A/70A TO251A
产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
点击此处查询AOI530的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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