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零件图片(仅供参考)

规格参数
AON7804是AOS推出的一款采用8-PowerSMD封装的N沟道双MOSFET阵列。该器件具备30V的漏源电压和9A的连续漏极电流处理能力,其核心优势在于极低的导通电阻(典型值21mΩ @ 10V, 8A)和逻辑电平门驱动特性(Vgs(th)最大2.4V),能够在降低传导损耗的同时,实现与低压控制器的直接、高效接口。
此外,其优化的栅极电荷(最大18nC)和输入电容参数确保了快速的开关性能,有助于提升整体电源转换效率。器件支持-55°C至150°C的宽工作结温范围,表面贴装封装形式适合高密度PCB布局,使其成为空间受限且要求高可靠性的中低压、大电流开关应用的理想选择。

基本参数:
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