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零件图片（仅供参考）
AOD403L
规格参数

AOD403L是AOS推出的一款P沟道功率MOSFET，采用TO-252（D-Pak）封装。其核心优势在于极低的导通电阻（Rds(On)典型值6mΩ @ 20A, 20V）和优化的栅极电荷（Qg最大值120nC @ 10V），这共同实现了优异的传导与开关效率，显著降低功率损耗。

该器件额定漏源电压（Vdss）为30V，在壳温条件下可持续承受高达70A的漏极电流，并支持-55°C至175°C的宽结温工作范围，确保了在严苛环境下的稳定性和高可靠性。其3.5V的最大栅极阈值电压使其易于被标准逻辑电平驱动，简化了高侧开关电路设计。

  • 制造商产品型号：AOD403L
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET P-CH 30V 15A/70A TO252
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：P 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：15A（Ta），70A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V，20V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：6 毫欧 @ 20A，20V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：120nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±25V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：5300pF @ 15V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），90W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：TO-252，（D-Pak）
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AOD403L
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET P-CH 30V 15A/70A TO252
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AOD403L的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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