AONR21305C（AOS，晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：-）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

AONR21305C是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款P沟道功率MOSFET，采用热增强型8DFN封装。该器件额定漏源电压为30V，专为需要高效功率切换和管理的应用而设计。

其核心优势在于实现了低导通电阻与快速开关特性的良好平衡。这种特性组合使其能够在负载开关、电源路径管理和DC-DC转换器等电路中，有效降低传导损耗和开关损耗，从而提升整体系统效率。紧凑的封装形式使其非常适用于空间受限的便携式电子设备和分布式电源模块。

制造商产品型号：AONR21305C

制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）

描述：MOSFET P-CH 30V 8DFN

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：-

零件状态：有源

FET类型：-

技术：-

漏源电压（Vdss）：-

25°C时电流-连续漏极(Id)：-

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-

不同Id时Vgs(th)（最大值）：-

不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-

Vgs（最大值）：-

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-

FET功能：-

功率耗散（最大值）：-

工作温度：-

安装类型：-

器件封装：-

AONR21305C，AOS产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：AONR21305C

原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）

技术标准参数：MOSFET P-CH 30V 8DFN

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

点击此处查询AONR21305C的技术规格手册Datasheet（PDF文件）

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