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零件图片(仅供参考)

规格参数
AON6407是AOS公司生产的一款采用8-DFN封装的高性能P沟道功率MOSFET。该器件额定漏源电压为30V,在管壳温度(Tc)条件下可支持高达85A的连续漏极电流,其核心优势在于极低的导通电阻,在10V Vgs和20A Id条件下最大值仅为4.5毫欧,能有效降低导通损耗。
此外,该MOSFET具有较低的栅极电荷(105nC @ 10V)和宽泛的工作结温范围(-55°C ~ 150°C),兼顾了快速开关性能与高可靠性。这些特性使其非常适用于高电流开关应用,如服务器电源的同步整流、电机驱动及高密度板载负载开关等场景,是提升系统效率和功率密度的关键元件。

基本参数:
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