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AOD609 是AOS公司推出的一款N沟道与P沟道共漏极MOSFET阵列，采用TO-252-4封装。该器件集成了两个逻辑电平门驱动的MOSFET，漏源电压（Vdss）为40V，连续漏极电流（Id）高达12A，在10V Vgs下的导通电阻（Rds(on)）典型值仅为30毫欧，确保了出色的导通性能和功率处理能力。

其关键优势在于极低的栅极电荷（Qg，最大值10.8nC）和输入电容（Ciss，最大值650pF），这共同实现了快速的开关速度和低开关损耗，非常适合高频开关电源应用。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）和表面贴装设计，进一步保障了其在各种环境下的可靠性与易用性。

• 型号:AOD609
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-252-4L
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 40V 12A TO252-4L
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道，共漏
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:40V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:30 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.8nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:650pF @ 20V
• 功率 - 最大值:2W
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab)
• 供应商器件封装:TO-252-4L
• AOD609，AOS产品一站式供应商。