AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOD609 是AOS公司推出的一款N沟道与P沟道共漏极MOSFET阵列，采用TO-252-4封装。该器件集成了两个逻辑电平门驱动的MOSFET，漏源电压（Vdss）为40V，连续漏极电流（Id）高达12A，在10V Vgs下的导通电阻（Rds(on)）典型值仅为30毫欧，确保了出色的导通性能和功率处理能力。
其关键优势在于极低的栅极电荷（Qg，最大值10.8nC）和输入电容（Ciss，最大值650pF），这共同实现了快速的开关速度和低开关损耗，非常适合高频开关电源应用。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）和表面贴装设计，进一步保障了其在各种环境下的可靠性与易用性。
基本参数：
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