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AOI8N25是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-251A通孔封装。该器件核心参数包括250V的漏源电压（Vdss）和8A的连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其关键优势在于优异的开关性能与低损耗特性。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至560毫欧，有效降低了导通期间的功率损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg，最大值7.2nC）和输入电容确保了快速的开关速度，有助于提升系统整体效率并降低电磁干扰（EMI）。

该器件工作结温范围宽（-55°C ~ 150°C），功耗处理能力强，设计稳健，适用于要求高可靠性的工业级与消费级功率转换场景。

• 型号:AOI8N25
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-251A
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 250V 8A TO251A
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:250 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:560 毫欧 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:306 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:78W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251A
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK
• AOI8N25，AOS产品一站式供应商。