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零件图片(仅供参考)

规格参数
AOSP21311C是AOS推出的一款30V、6A的P沟道功率MOSFET,采用8-SOIC封装。其核心优势在于优异的导通性能与开关特性平衡,在10V Vgs条件下提供低至42mΩ的最大导通电阻,同时栅极电荷最大值仅为23nC,这使其在导通损耗和开关损耗方面均有出色表现。
该器件设计用于由标准逻辑电平直接驱动,栅极阈值电压最大2.2V,兼容常见的3.3V/5V控制系统。其宽泛的工作结温范围(-55°C至150°C)和2.5W的功率耗散能力,确保了在各种环境条件下的高可靠性。这些特性使其成为空间紧凑型电源管理、负载开关及电池保护等应用的理想选择。

基本参数:

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