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零件图片（仅供参考）
AON6758_104
规格参数

AON6758_104是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其AlphaMOS产品系列。该器件采用8-DFN（5x6）表面贴装封装，核心参数包括30V的漏源电压（Vdss）额定值，以及在10V Vgs下低至3.6毫欧（最大值）的导通电阻，确保了出色的导电效率和低功耗表现。

其电流处理能力强劲，在25°C管壳温度下连续漏极电流可达32A。同时，器件具备低栅极电荷（40nC @ 10V）和适中的栅极阈值电压，有利于实现快速开关并简化驱动电路设计。集成的体二极管和宽广的-55°C至150°C工作结温范围，进一步提升了其在同步整流、DC-DC转换及电机控制等功率管理应用中的可靠性和适用性。

  • 制造商产品型号：AON6758_104
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 30V 27A/32A 8DFN
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：AlphaMOS
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：27A（Ta），32A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3.6 毫欧 @ 20A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：40nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1975pF @ 15V
  • FET功能：肖特基二极管（体）
  • 功率耗散（最大值）：4.1W（Ta），41W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：8-DFN（5x6）
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AON6758_104
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 30V 27A/32A 8DFN
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AON6758_104的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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