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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO4616是AOS推出的一款N沟道与P沟道互补的双MOSFET阵列，采用8-SOIC表面贴装封装。该器件集成了逻辑电平门驱动的N-CH和P-CH MOSFET，漏源电压为30V，连续漏极电流分别高达8A和7A，其核心优势在于极低的导通电阻（低至20毫欧）和栅极电荷，确保了高效率与快速的开关性能。
其宽广的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）和2W的功率处理能力，提供了出色的环境适应性与可靠性。这些特性使其成为空间紧凑型设计中实现高效功率切换与管理的优选方案，尤其适用于同步整流、电机驱动和负载开关等应用场景。
制造商产品型号：AO4616制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）描述：MOSFET N/P-CH 30V 8A/7A 8-SOIC系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：-零件状态：有源FET类型：N 和 P 沟道FET功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）：30V25°C时电流-连续漏极(Id)：8A，7A不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：20 毫欧 @ 8A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250A不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：18nC @ 10V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：888pF @ 15V功率-最大值：2W工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）AO4616，AOS产品一站式供应商。
基本参数：
电子零件型号：AO4616
原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
技术标准参数：MOSFET N/P-CH 30V 8A/7A 8-SOIC
产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
点击此处查询AO4616的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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