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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOTF12T50P 是一款 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-220-3F 通孔封装，专为高压、中电流的开关应用而优化。其核心参数包括 500V 的漏源电压（Vdss）和 12A 的连续漏极电流（Id），提供了坚固的电气耐受性和功率处理能力。
该器件的关键优势在于其低导通电阻，在 10V 栅极驱动、6A 漏极电流条件下，Rds(on) 最大值仅为 500 毫欧，这有助于显著降低导通状态下的功率损耗。同时，32nC 的最大栅极电荷（Qg）有利于实现快速的开关切换，提升系统频率和效率。其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）确保了在苛刻环境下的可靠性。
基本参数：
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