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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOW12N65是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-262封装，专为高效、高可靠性的功率开关应用而设计。其核心电气规格包括650V的漏源电压（Vdss）和12A的连续漏极电流（Id），为离线式电源和工业驱动提供了坚实的电压与电流基础。
该器件的关键优势在于其优异的导通与开关性能平衡。其最大导通电阻（Rds(on)）仅为720毫欧（@6A, 10V），有助于降低导通损耗；同时，较低的栅极电荷（Qg, 48nC max）确保了快速的开关瞬态，有利于提升系统频率和效率。这些特性使其成为开关电源、PFC电路和电机控制等应用的理想选择。
基本参数：
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