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零件图片(仅供参考)
AON6702
规格参数

AON6702是一款采用8-DFN封装的N沟道功率MOSFET,隶属于AOS的SRFET系列。其核心优势在于极低的导通电阻,在10V Vgs、20A Id条件下典型值仅为2毫欧,配合123nC(最大值)的低栅极电荷,共同确保了高效率的电源转换与功率控制。

该器件额定电压为30V,在壳温(Tc)条件下可支持高达85A的连续漏极电流,并集成了肖特基体二极管以优化开关性能。其设计适用于对功率密度和热管理有较高要求的同步整流、DC-DC转换及电机驱动应用场景。

  • 制造商产品型号:AON6702
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:MOSFET N-CH 30V 26A/85A 8DFN
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:SRFET
  • 零件状态:停产
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):26A(Ta),85A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):2 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):123nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):7080pF @ 15V
  • FET功能:肖特基二极管(体)
  • 功率耗散(最大值):2.3W(Ta),83W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:8-DFN(5x6)
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    基本参数:
  • 电子零件型号:AON6702
  • 原始制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha Omega Semiconductor)
  • 技术标准参数:MOSFET N-CH 30V 26A/85A 8DFN
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AON6702的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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