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AON6702是一款采用8-DFN封装的N沟道功率MOSFET，隶属于AOS的SRFET系列。其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs、20A Id条件下典型值仅为2毫欧，配合123nC（最大值）的低栅极电荷，共同确保了高效率的电源转换与功率控制。

该器件额定电压为30V，在壳温（Tc）条件下可支持高达85A的连续漏极电流，并集成了肖特基体二极管以优化开关性能。其设计适用于对功率密度和热管理有较高要求的同步整流、DC-DC转换及电机驱动应用场景。

• 制造商产品型号：AON6702
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 26A/85A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：SRFET
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：26A（Ta），85A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：123nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：7080pF @ 15V
• FET功能：肖特基二极管（体）
• 功率耗散（最大值）：2.3W（Ta），83W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN（5x6）
• AON6702，AOS产品一站式供应商。