AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOB266L是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-263（DPak）表面贴装封装。其核心优势在于优异的导通与开关性能平衡，具备60V的漏源电压（Vdss）额定值，并在10V Vgs下提供低至3.2毫欧的导通电阻（Rds(on)），显著降低导通损耗。
该器件支持高达140A（Tc）的连续漏极电流，并拥有仅80nC的低栅极电荷（Qg），有利于实现高效率和高频开关操作。其宽工作结温范围（-55°C ~ 175°C）与268W（Tc）的最大功率耗散能力，确保了在严苛热环境下的可靠性与稳定性，适用于要求高功率密度和高效能的电源与电机驱动应用。
基本参数：
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