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AON2701_001是一款采用6-DFN（2x2）封装的P沟道MOSFET，由AOS制造。其核心电气参数针对低压、高效率开关应用进行了优化，具备20V漏源电压和3A连续电流处理能力。

该器件的突出优势在于其低导通电阻与低栅极电荷的出色结合。在4.5V栅极驱动下，其导通电阻最大值仅为120毫欧，同时栅极电荷低至6.5nC，这共同确保了极低的传导损耗和开关损耗。此外，它支持低至1.8V的逻辑电平驱动，并集成了体二极管，为设计紧凑、高效的功率管理解决方案提供了关键特性。

• 制造商产品型号：AON2701_001
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET P-CH 20V 3A 6DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：P 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：20V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：3A（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：120 毫欧 @ 3A，4.5V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：6.5nC @ 4.5V
• Vgs（最大值）：±8V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：700pF @ 10V
• FET功能：肖特基二极管（体）
• 功率耗散（最大值）：1.5W（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：6-DFN（2x2）
• AON2701_001，AOS产品一站式供应商。