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零件图片(仅供参考)

规格参数
AON7934是AOS推出的一款双N沟道功率MOSFET阵列,采用8-DFN封装,专为高效率功率管理应用而设计。该器件集成了两个逻辑电平N沟道MOSFET,构成半桥配置,其核心优势在于极低的导通电阻(典型值10.2mΩ @ 13A, 10V)和快速的开关特性(低至11nC的栅极电荷),这显著降低了传导与开关损耗,提升了系统整体能效。
其30V的漏源电压和高达15A的连续漏极电流处理能力,使其能够胜任中高电流应用。宽泛的工作结温范围(-55°C至150°C)与紧凑的表面贴装封装相结合,确保了其在空间受限且环境要求严苛的设计中实现高可靠性与高功率密度。这些特性使其成为同步整流、电机驱动和负载开关等应用的优选解决方案。

基本参数:

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