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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOWF600A70是AOS公司推出的aMOS5系列N沟道功率MOSFET，采用TO-262F封装。其核心优势在于高达700V的漏源电压（Vdss）与低至600毫欧（@10V， 2.5A）的导通电阻（Rds(on)）的出色结合，为高压开关应用提供了优异的电气性能基础。
该器件额定连续漏极电流为8.5A，最大功耗25W，并具备低栅极电荷（Qg）特性，有助于实现高效率与低开关损耗。其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）确保了在苛刻环境下的稳定运行。这些参数特性使其成为工业电源、PC电源及LED驱动等应用中功率转换级设计的理想选择。
基本参数：
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