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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOT4S60L是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220通孔封装，是有源aMOS产品系列的一员。其核心参数包括600V的漏源电压（Vdss）和4A的连续漏极电流（Id），为高压开关应用提供了坚实的基础。
该器件的关键优势在于其优异的导通特性，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为900毫欧，配合低至6nC的栅极电荷（Qg），能有效降低导通与开关损耗，提升系统效率。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，功率耗散能力达83W，确保了在各类工业与消费电子电源设计中的可靠性与耐用性。
基本参数：
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