AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOT11S65L是AOS公司推出的aMOS系列N沟道功率MOSFET，采用TO-220通孔封装。该器件核心优势在于其650V的高漏源击穿电压（Vdss）与11A（Tc）的连续漏极电流能力，为高压功率开关应用提供了坚实的基础。
其技术亮点包括低至399毫欧（@5.5A, 10V）的最大导通电阻，有助于显著降低通态损耗；同时，13.2nC（@10V）的最大栅极电荷确保了快速的开关响应，有利于提升系统频率和效率。器件支持-55°C至150°C的宽结温工作范围，并具备198W（Tc）的强大功率耗散能力，保证了在恶劣环境下的稳定性和可靠性。
基本参数：
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